Bauteile für die Funktechnik

AM-L, 45V, 25A, PEP=250W 30MHz Transistor NPN, 45 Volt, 25 Ampere, 250 Watt PEP , Casing 2-1B1A. 2SC2879 Transistor, Silicon NPN Epitaxial Planar Type, Early Version 2-30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. (LOW SUPPLY VOLTAGE USE) Specified 12.5V, 28MHz Characteristics Output Power : Po=100WPEP Power Gain : Gp=13dB Collector Efficiency : '7 C = 35% (Min.)...

Silizium-NPN-Transistor, HF-L, 60V, 6A, PQ 18,5W(27MHz)

Transistor Motorola MRF9745

Elektrolytkondensator 47 µF 450 Volt 108 Grad, 18 x 40 mm, RM 7,5 Häufig im BV-131 und BV-135 und anderen Röhrenverstärkern zu finden.

Albrecht Sicherung 6 x 30 mm, 4 Ampere. Für viele CB-Funkgeräte geeignet.

MRF 450A HF-Leistungstransistor Silizium-NPN-Transistor AM-L, 40V, 7,5A, PQ=50W(30MHz)

Qualitativ hochwertiges Koaxrelais für den Einsatz bis 4 GHz. Das Relais zeichnet sich durch eine niedrige Einfügungsdämpfung und eine hohe Isolation aus. 3 x N-Buchsen, Spule 12 V/250mA Frequenz (MHz) Ins. loss (dB) Isolation (dB) Max. Power SSB (Watt) 50 0,1 65 2300 150 0,1 65 2000 500 0,2 65 1000 1000 0,25 65 800 4000 0,35 55 15

Keramik-Hochspannungs-Scheibenkondensatoren Typ Roederstein HB../HCX/HDE/HFE/HGZ (D104.850). Ausführung mit Nennspannung 8,0 kV– Typ HGZ.

AM-L, 60V, 6A, PQ=16W(27MHz)

Keramik-Hochspannungs-Scheibenkondensatoren Typ Roederstein HB../HCX/HDE/HFE/HGZ (D104.850). Ausführung mit Nennspannung 8,0 kV– Typ HGZ. Rastermaß: 12,5 mm. 100 pF, 9,0 x 8,3 mm, 2D3.

Keramik-Hochspannungs-Scheibenkondensatoren Typ Roederstein mit Epoxydharzumhüllung (isolierend und flammhemmend), Toleranz: ±20 % (2F3/K10000 +50 %/ 20 %), Betriebstemperatur: 40 bis +85 °C, Anwendungsklasse: GPF. Tabellenangaben: Nennkapazität, Maße (D x S), Keramikart. Rastermaß: 7,5mm.

MRF422 HF-Leistungstransistor Silizium-NPN-Transistor AM/SSB-L, 85V, 20A, PEP=150W(30MHz)